SK海力士于4月20日发布了具有24GB容量的新型12层HMB3，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片。
据报道，人工智能半导体的市场领导者英伟达已经要求提供SK海力士目前正在开发的下一代高带宽内存（HBM）样品。随着SK海力士巩固其作为NVIDIA关键合作伙伴的地位，预计将引领下一代DRAM市场。
据业内人士6月14日报道，SK海力士收到英伟达要求提供HBM3E样品的请求，并正在准备发货。HBM3E 是目前可用的下一代最高规格 DRAM HBM3，被认为是第 5 代半导体产品。
SK海力士目前正在开发该产品，目标是明年上半年量产。SK海力士副总裁Park Myung-so在4月份的第一季度财报电话会议上透露，“我们正在为今年下半年准备8Gbps HBM3E产品样品，并为明年上半年的量产做准备。通常，在产品开发完成后，样品将运送给客户进行认证过程。
SK海力士目前领先于三星电子的HBM市场。根据市场研究公司TrendForce的数据，截至去年，SK海力士在HBM中占有50%的全球市场份额，而三星电子则保持了40%的市场份额。
去年6月，SK海力士成为全球首家量产性能最高的DRAMHBM3的公司，夺得市场领导地位。它成功供应了 NVIDIA 的 H100 后，通过了苛刻客户对 HBM3 样品的严格性能评估。
预计如果他们成功交付这款第 5 代产品，他们将进一步巩固其在超高速 AI 半导体市场的第一地位。NVIDIA 占据了 90% 以上的全球图形处理单元 （GPU） 市场，用于人工智能开发。
除了HBM，SK海力士还被评估为在DDR5市场获得了竞争优势，这是下一代DRAM的标准。今年1月，SK海力士的10纳米第四代（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔认证，成为第一家获得该认证的公司。
SK海力士于4月20日发布了具有24GB容量的新型12层HMB3
据了解，SK海力士在此次此新产品采用了MR-MUF和TSV技术。SK海力士表示，通过MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。
TSV技术指的是硅通孔技术，在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的先进封装技术。采用该技术的SK海力士HBM3 DRAM可每秒传输163部全高清（Full-HD）电影，最大速度可达819GB/s。