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美光:DRAM工艺还要经几代发展,暂不需要EUV光刻机

2018-06-04 00:00:00 来源:超能网

随着技术的发展,今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺,下一代将在2020年进入5nm工艺,2022年进入3nm工艺。目前第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺,预计到5nm工艺将会上EUV光刻工艺。

NAND Flash发展到1znm(10nm级)便无法向下发展,或者即使向下走也不能带来更好的成本效益,所以Flash原厂纷纷向3D NAND技术发展,并已快速完成了技术的转变,2019年向96层3D NAND发展。DRAM也会面临技术瓶颈的难题,但在美光看来,他们正在交由客户验证新一代1Ynm工艺DRAM芯片,未来还有1Z、1α及1β工艺。

目前DRAM主流的还是20nm、18nm工艺,其中18nm就属于1Xnm节点(16nm-19nm之间),1Ynm则代表的是14nm-16nm之间,1Z大概是12nm到14nm。再之后,美光提出的是1α及1β工艺,具体工艺暂不可知。

三星是第一家量产18nm工艺的DRAM,也就是第一个进入1Xnm节点的,遥遥领先其他公司,美光现在也开始向1Xnm工艺转进,下一代的1Ynm工艺已经进入客户验证阶段了,今年下半年问世,1Znm工艺节点在处于工艺优化阶段,1α及1β工艺则是在不同研发阶段。

美光CEO Sanjay Mehrotra曾表示,在EUV光刻工艺上,他认为EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的,至少在1α及1β工艺之前不会用到它。

早前ASML提到过DRAM在进入1Ynm节点时就需要考虑EUV工艺了,实际上并没有,包括三星在内的三大DRAM巨头都没有很快使用EUV的打算,预计到1znm才会考虑,也就是在10nm级左右。不过,美光认为1α及1β工艺上依然都不需要EUV光刻工艺。