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针对手机及AI,三星推出高速8 Gbit DRAM

2018-07-19 11:33:42 来源:The Register

中存储网消息,针对手机及AI,三星推出高速8 Gbit DRAM

速度惊人的三星LPDDR5

三星公司已经展示了其第一款堪称疯狂的DRAM芯片原型,容量为8Gb。虽然容量方面没什么亮点,但LPDDR5芯片以每秒6400Mb的传输速度打开了新世界的大门。

由于目前尚处于原型设计阶段,因此我们不能说其“即将登陆您的iPhone”。相反,三星公司向中存储网记者表示具体交货方式将“符合全球客户的需求”——换言之,还没人能够真正将该款DRAM引入自家产品。

这款“10纳米级别”(三星在其声明中解释称,其‘制程工艺在10到20纳米之间’)芯片将加入该公司的高端DRAM阵线,与2017年12月出货的16 Gb GDDR6芯片以及今年2月推出的16 Gb DDR5芯片并列。

三星公司强调了这款超高速内存(1.5倍于其现有4266 Mbps LPDDR4X)芯片的两大适用方向:5G智能手机以及移动人工智能应用程序。该公司指出,这样的数据传输速率意味着LPDDR5“能够每秒传输51.2 GB数据,或者近14个全高清视频文件(每个3.7 GB)”。

芯片在1.1伏电压下工作即可实现最高传输速度; 而工作电压为1.05伏时,仍可提供5500 Mbps性能表现。三星公司向中存储网记者表示,该芯片的速度增强效果部分源自内部的16个储库(而非原有芯片的8个)。

低功耗对于三星而言同样非常重要,该公司向中存储网记者表示这将使其节约30%电力。

节电能力的实现,源自该芯片对电压水平进行分级以配备应用处理器的执行速度; 该芯片还尽可能避免用0覆盖存储单元; 此外,其还提供深度睡眠模式,使得功耗仅为当前LPDDR4X芯片“闲置”功耗的一半。

这款原型设计为八块独立LPDDR5芯片共同构成的8Gb封装版本,由未公布具体名称的合作伙伴进行测试与验证。这款原型芯片由三星公司在韩国平泽工厂组装生产。