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网曝三星DRAM发展蓝图,15nm是制程微缩极限?

2017-04-18 15:34:45 来源:中存储

三星电子为了巩固存储器霸业,制定DRAM发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,15nm可能是DRAM制程微缩的极限,担忧三星遭中国业者追上。

韩媒etnews 18日报导,业界消息称,三星去年开始量产18nmDRAM,目前正研发17nmDRAM,预定今年底完成开发、明年量产。与此同时,三星也成立16nmDRAM开发小组,目标最快2020年量产。相关人士透露,微缩难度高,2020年量产时间可能延后。

三星从20nm制程(28→25→20),转进10nm制程(18→17),缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15nm制程以下的研发团队,因为由此开始,电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显,需要开发新的材质。

三星设备解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun-seung说,为了继续缩小线宽,必须开发与当前不同的新材质,并提高制程稳定性,以便进入量产。业界人士估计,15nm或许是制程微缩的极限,未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距,并担忧中国业者急起直追,赶上三星。

当下三星DRAM主力为20nm制程,今年将逐步增加18nm产出比例,期望明年生产以18nm为主。

DRAM存储百科

DRAM是Dynamic random access memory 的缩写,称为动态随机存取存储器。与之前介绍的SRAM静态随机存储器相比,DRAM功耗更小。详细请参照SRAM存储器原理介绍中的SRAM与DRAM的区别部分。

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