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联电宣布14nm FinFET制程正式进入量产阶段

2017-02-26 23:04:27 来源:集微网

联华电子(以下简称联电)23 日发出消息宣布,该公司所自主研发的 14 nm鳍式场效晶体管 (FinFET) 制程技术,已成功进入客户芯片量产阶段。联电表示,目前出货给主要客户的 14 nm量产晶圆,良率已达先进制程的业界竞争水平,此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。

联电CEO颜博文表示,此次 14 nm量产里程碑的达成,是联电与客户携手努力的成果。这象征了我们已成功地以合作模式,将先进技术导入市场。同时,联电与其他客户的合作也在顺利进行中,将持续优化此制程,充分发挥 14 nm FinFET 在效能、功耗和闸密度所具备的优势,以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。

联电表示,联电的 14 nm FinFET 制程效能竞争力已达业界领先标准,速度较 28 nm增快 55%,闸密度则达 2 倍。此外,14 nm制程的功耗亦较 28 nm制程减少约 50%。此 14 nm客户芯片现正于联电台南的 Fab 12A  晶圆厂生产中,未来将因应客户需求,稳步扩充其 14 nm产能。

联电宣布自主研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术, 也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到28nm量产,抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。

颜博文强调,14nmFinFET制程效能竞争力已达业界标准,速度比28 nm增快55%,闸密度达两倍,而且芯片功耗也较28nm减少约50%。

因联电28nm制程良率相当稳定,也是目前市场中端手机芯片和高端网络芯片需求最迫切的制程,预料联电将会把重心集中冲刺联芯将制程推升至28nm。

联电目前与和舰共持有联芯50%股权,联芯去年11月开幕,导入联电的55nm及40nm制程技术生产。