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不止人才和钱的问题,中国存储产业发展还有啥挑战?

2017-02-16 19:27:10 来源:eetasia

相关进展

据之前的报道,长江存储计划斥资240亿美元打造一个12寸的晶圆厂,第一期工程在2016年底就开启了,并计划在2019年完成。而报道中更是指出,长江存储的产能高达20万片每个月,而主要的生产产品则是32层的NAND FLASH。

长江存储武汉基地的建设布板

Yunogami坚信长江存储已经取得了不错的进展。这主要是通过深度研究Spansion的Mirror-Bit技术实现的(最早是为Nor设计的,但后来三星将其应用到NAND上)。而长江存储在去年底完成了第一次和第二次的3D NAND Flash测试。根据Yunogami所说,第一次测试是在12月中完成的,但当时的结果不尽如人意。之后的第二次测试的产品则可以执行全规格的运行。但至于具体的进展如何,我们也实在不得而知。

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谈谈钱的问题

老实说,在中国追逐存储国产化的国产中,有一件事是我不能了解的。那就是既然长江存储正在处于初级发展阶段,为什么紫光集团那么急切地在另一个地方投资了下一个工厂。这个决定出乎了很多国外专家乃至中国本土专家的所料。

在文中开头我们提到,紫光集团和南京政府达成了一个合作。

而根据媒体的报道,紫光集团更是计划在四川程度建一座逻辑工艺的晶圆厂,而这家厂的预估产能是50万片一个月。究竟是什么原因推动紫光集团去疯狂的建厂?

中国三大存储基地

美国的资深半导体老兵对中国这个存储布局的评价是——这令我们很头疼。

从中国现在资金投入来看,基本上是中央放出来一笔基金,然后各地的地方政府和私人资本开始介入,然后三方通力合作,打造半导体产业链。而在这些合作中,不同城市和省份之间也会竞争,谁都想成为最先成功的一个。

美国的相关分析师认为,长江存储的武汉项目并没有预期中的进展那么好,政府方面有所怨言,因此紫光面临巨大的经济压力。所以紫光需要从其他城市寻求帮助。

与此同时,我们需要知道,TSMC在去年三月也和南京政府签订了一个12寸晶圆建厂协议。专家们指出,TSMC虽然表现得和南京政府和左右很大热情,但在工厂规模上,并没有达到南京政府的需求。为了被武汉击败,所以南京政府选择和紫光集团合作。

可能面临的风险

中国在过去几年的半导体建设最终会引致一个结局,那就是产能过剩。

去年,IC Insights的Matas写到,现在在追逐3D NAND Flash的产能的公司有三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪和长江存储。还有一些可能加入战局的中国制造商。

Matas表示,未来3D NAND将会面临各方面的风险。

虽然业界认为未来五年工业界会发生很重要的转变,并会带来很强大的存储需求,但如果中国的存储布局能够顺利进行,那么最后必将会面对差能过剩的风险。

有人指出,对于中国的这些投资我们应该抱有一种什么样的态度,究竟是应该感谢他们致力于打破三星的垄断,给我们带来更多的选择,还是该批判他们这种行为?

这位专家海指出,中国想通过存储切入半导体产业链,这或许是一个错误的选择。因为存储上面投资的金额实在太大了。每一代技术的投资成本都数十亿美元。这对中国来说是一个很大的冒险。

投资无数的钱在一个未知结果的领域,面临的压力是可想而知的。

从编者的角度看,考虑到中国半导体产业链的现状,如果我们不持续投入,那又怎样才能实现电子产业的自主可控呢?