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72层256Gb 3D NAND来了,512G iPhone和2T M.2 SSD你期待哪个?

2017-04-12 21:02:45 来源:中存储

固态硬盘在笔记本和台式电脑上的发展速度令人乍舌,容量大的智能手机成为人们换机的最主要理由之一,也连带闪存技术快速推进。

苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层,256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍,单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存,一片封装完成的闪存芯片的最高容量将达到512GB,只需要两颗芯片,就能造出单面1T、双面2T的M.2 SSD,且成本更低。

这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍,读写性能快 20%。

如不出意外的话,SK海力士在Q4将把单晶片容量做到翻番。

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海力士自从2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片,之前的 36 层 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月开始生产。因为层数更多,利用现有的生产线,产能可以提升 30%。海力士将在今年下半年开始量产。

由此,SK海力士成为业界第一,领先三星和东芝的64层。

另外,除了SSD,SK海力士称,相关芯片也会用于智能手机。

iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配备的 NAND 闪存颗粒就来自东芝和海力士。一些 iPhone 7 采用东芝 48 层 3D BiCS NAND 芯片,这种芯片之前从未出现在其他商业产品中。其他 iPhone 7 型号采用海力士闪存芯片。

32GB iPhone 7 比 128 GB 型号更慢,前者的数据读取速度为 656 Mbps,后者为 856Mbps。不妨猜一猜,哪款手机能够率先突破512GB容量呢?

根据Gartner的统计,SK海力士是DRAM世界第二、闪存世界第五,他们已经向东芝报价,希望拿下后者欲出售的闪存业务。