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第四代3D NAND芯片明年将量产,采用替代栅极架构

2019-10-09 来源:中关村在线

存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇,近日,根据最新消息显示,美系存储巨头,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构,将于明年开始小范围量产。

根据知情人士透露,美光新型替代栅极架构将首次应用在128层闪存之中,继续沿用CMOS阵列,新一代的替代栅极结构有望让Die size和成本进一步减小。

美光集团CEO对此表示,目前已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片,这一里程碑的进展降低了产品技术向下一代技术过渡的风险,并且强调首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上,先期会被应用到特定的产品线。