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三星(SAMSUNG)850 EVO系列 120G 2.5英寸 SATA-3固态硬盘

商品简介

参考价格:¥349.00元

品牌型号:SAMSUNG

商品库存:60

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商品详情

三星(SAMSUNG)850 EVO系列 120G 2.5英寸 SATA-3固态硬盘(MZ-75E120B/CN)


产品规格
主体
品牌 三星
系列 850 EVO系列
型号 MZ-75E120B/CN
类别 2.5英寸SSD固态硬盘
规格
接口类型 接口 SATA 6Gb/s(与SATA 3Gb/s 和 SATA 1.5Gb/s兼容)
容量 120GB
缓存 256MB
读写速度 连续读取最大540MB/秒,连续写入最大520MB/秒
主控 三星 MGX 控制器
颗粒 三星32 层3D V-NAND
闪存类型 NAND 闪存
特性
特性 最新3D V-NAND 技术,卓越性能,持久耐用,高效安全
尺寸 100x69.85x 6.8(mm)
工作温度 0°C to 70°C
保存温度 -40°C to 85°C
TRIM 支持

三星 3D v NAND技术

三星的V-NAND闪存就放弃了传统的浮栅极MOSFET,改用自家的电荷撷取闪存(charge trap flash,简称CTF)设计。每个cell单元看起来更小了,但是里面的电荷是储存在一个绝缘层而非之前的导体上的,理论上是没有消耗的。这种看起来更小的电荷有很多优点,比如更高的可靠性、更小的体积,不过这些还只是其中的一部分。

使用CTF结构的V-NAND闪存被认为是一种非平面设计,绝缘体环绕沟道(channle),控制栅极又环绕着绝缘体层。这种3D结构设计提升了储存电荷的的物理区域,提高了性能和可靠性。

可靠性和性能提升是V-NAND闪存的一个方面,还有就是3D堆叠。由于三星已经可以垂直方向扩展NAND密度,那就没有继续缩小晶体管的压力了,所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产V-NAND闪存,现在使用的是30nm级别的,介于30-39nm之间。

使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升,目前的19/20nm工艺MLC闪存的擦写次数普遍是3000次,三星的V-NAND闪存可达35000次,这也是三星说可靠性提升2-10倍的由来。

使用旧工艺甚至也没妨碍三星提高NAND密度,三星之前公布的V-NAND是128Gb核心的,目前主流19/20nm工艺的核心容量是64Gb,如果用传统工艺制造128Gb核心的NAND,那么工艺需要15nm。

更大容量的NAND有着更少的干扰,编程时间会更短,这意味着性能会提高。此外,更大容量的NAND的读写不需要那么多次的重试,因此总功耗也会更低。